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美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

更新時(shí)間:2024-11-28

產(chǎn)品型號(hào):SVT-35等

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址:

產(chǎn)品報(bào)價(jià):

產(chǎn)品特點(diǎn):美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)
美國SVT公司是世界*的MBE供應(yīng)商,具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗(yàn)。
占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng),以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。
SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺(tái)。
SVT公司建立完善的售后服。

產(chǎn)品詳情

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

美國SVT公司是世界MBE供應(yīng)商,具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗(yàn)。

占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng),以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。

SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺(tái)。

SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國總部都有服務(wù)工程師。

型號(hào)應(yīng)用樣品尺寸

35-4

III-V, 或其他化合物半導(dǎo)

4’’

35-N

氮化物半導(dǎo)體

4’’或3X2’’

35-6

III-V或II-VI   或其他化合物半導(dǎo)體

4’’, 6’’或多片2’’

35-G-4

III-V化合物,SiGe

4’’

SM-6

Si,Ge,金屬

4’’或6’’

S-8

Si,Ge,介質(zhì)材料

8’’可配集成腔室

SVT-V

化合物半導(dǎo)體,氮化物,氧化物,鐵磁材料

2’’或3’’

35-D

雙生長腔室,III-V或II-VI 或其他化合物半導(dǎo)體,鐵磁材料

3’’或4’’

35-V

CIGS

3’’或4’’

NanoFab

II-V,II-VI,II-氧化物,III-氮化物以及其他材料

1’’或2’’

UVD-02

氧化物或其他介質(zhì)材料

4’’, 可配有液態(tài)源

PLD-02

氧化物半導(dǎo)體、高溫超導(dǎo)材料、光學(xué)晶體材料、電光學(xué)薄膜、鐵電以及鐵磁材料等

4’’, 激光/電子束沉積

35V14

化合物半導(dǎo)體,氮化物,氧化物,鐵磁材料

14’’或多個(gè)小尺寸

SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設(shè)計(jì),主要包括裝載室模塊,預(yù)備或分析室模塊,主生長室模塊??膳?0個(gè)源,線性移動(dòng)擋板。每個(gè)模塊都有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)。模塊間有閘板閥相互隔離,互不影響。

Model 35-6 AlGaAs(或其他半導(dǎo)體材料)研究和生產(chǎn)型設(shè)備,樣品尺寸可達(dá)6英寸。

可容納10個(gè)cell。

真空度< 1×10-10Torr。

可配普通束流源、裂解源、RF源、電子束蒸發(fā)源。


Model 35-N-V 標(biāo)準(zhǔn)4''襯底MBE平臺(tái),用于生長高質(zhì)量的氮化物半導(dǎo)體材料。

可容納10個(gè)cell。

真空度< 1×10-10Torr。

設(shè)計(jì)考慮了嚴(yán)格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。

氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。


26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置。

真空度< 1×10-10Torr。

此多元化MBE平臺(tái)可以生長研究各種氧化物材料。

該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個(gè)熱蒸發(fā)源或等離子源等。

氧化物MBE還包括:26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號(hào)。


Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長高質(zhì)量的Si/Ge及相關(guān)化合物。

真空度< 1×10-10Torr。

可容納9個(gè)普通源及1個(gè)電子束蒸發(fā)源,或6個(gè)普通源及2個(gè)電子束蒸發(fā)源。

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術(shù),并通過傳感器反饋控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性。

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